讲座主题：横向多孔GaN基半导体及光电器件研究

专家姓名：赵丽霞

工作单位：天津工业大学

讲座时间：2026年05月23日 星期六 14:30-16:00

讲座地点：科技馆1511

主办单位：烟台大学物理与电子信息学院

内容摘要：GaN基半导休具有电子迁移率高，化学稳定性好和抗辐照能力强等优异特性，在微电和光电领域具有重要应用。GaN多孔化后比表面积增大且有效折射率可调，孔道和孔壁还存在纳米尺度和界面效应，这将极大拓展GaN的应用方向。本次报告，将介绍我们在横向多孔GaN基半导体可控制备及利用该横向多孔GaN材料在发光、探测、光催化产氢、激光器等方面的研究进展。不仅如此，随着人工智能的迅速发展，未来GaN 基半导体将进一步光电融合，在具身智能、脑机接口、AI算力等领域具有巨大的发展机遇和挑战.